数字式太阳能级硅晶体少子寿命测试仪 型号：DP-LT-200

数字式太阳能级硅晶体少子寿命测试仪 型号：DP-LT-200

1.    仪器应用范围及说明

本设备是按照家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法”。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，因此制样特别简便。

数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：

可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量，仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。

1.1     可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。

1.2     液晶屏上直接显示少子寿命值，同时在线显示光电导衰退波形。

1.3   配置的红外光源：0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体少数载流子体寿命，脉冲率30W。

1.4     测量范围宽广

测试仪可直接测量：

a、研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω•cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。

b、抛光面：电阻率在0.5～0.01Ω•cm范围内的硅单晶、锗单晶厚度小于1mm的抛光片。

2.    设备要求及性能标

2.1     少子寿命测试范围：0.5μs~6000μs            

2.2     样品的电阻率范围：ρ﹥0.1Ω·cm（非回炉料）             

2.3     测试速度：1分钟/片                     

2.4     红外光源波长： 0.904～0.905μm                  

2.5     频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHZ

2.6     前置放大器，放大倍数约25，频宽2HZ-2MHZ

2.7     可测单晶尺寸：断面竖测：

直径25mm-150mm；厚度2mm-500mm

纵向卧测：直径5mm-20mm；长度50mm-200mm

2.8     测量方式：采用数字示波器直接读数方式

2.9     测试分辨率：数字存储示波器zui小分辨率0.01μs

2.10  设备重量：20 Kg

2.11  仪器电源：电源电压类型：单相210～230V,50Hz,带电源隔离、滤波、稳压，不能与未做保护措施的大率、频设备共用电源。